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京都府

業界最先端のSiC、GaN、Si等のパワーデバイスの設計、開発を行います。 ・台湾に本拠地を置く本社（パワー半導体デバイスの開発、製造、販売）から開発依頼を受け、 パワーデバイス・モジュールの設計・開発を行います。 ・日本及び台湾等を拠点とするエンジニアと協力して開発を進めて頂きます。 ・大学などの研究機関、提携会社との垂直統合型の連携も進めてリーディングカンパニーを目指します。 WEEC求人

【必須要件】 GaNパワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関し以下の経験がある方。 1．GaNパワー半導体（HEMT、SBD等）のデバイス開発・設計 ・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）を使用し特性要件を満たすデバイス構造（＊）を設計　 　＊コラプス対策の電界緩和構造、I-V、C-V目標特性実現、応力解析、熱設計、等 ・実測相関検証、シミュレーション条件設定など、開発目的に適合した環境設定ができることが望ましい ２．GaNパワー半導体（HEMT、SBD等）の製品開発・設計 ・半導体チップ設計：目標設計仕様を実現するレイアウト構造、設計仕様を決定 ・製品特性評価：I-V、C-V特性、実機スイッチング特性の評価、評価系の立上げ 【歓迎条件】 英語もしくは中国語でのコミュニケーションのできる方

株式会社ウィーク

京都府

業界最先端のSiC、GaN、Si等のパワーデバイスの設計、開発を行います。 ・台湾に本拠地を置く本社（パワー半導体デバイスの開発、製造、販売）から開発依頼を受け、 　パワーデバイス・モジュールの設計・開発を行います。 ・日本及び台湾等を拠点とするエンジニアと協力して開発を進めて頂きます。 ・大学などの研究機関、提携会社との垂直統合型の連携も進めてリーディングカンパニーを目指します。 WEEC求人

【必須条件】 パワー半導体デバイス（Si、SiC、GaN）の設計、開発、製造に関して以下いずれかの経験がある方。 ・パワー半導体デバイス（SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等）のデバイス（チップ）の開発・設計、プロセスインテグレーション開発 ・ファウンドリーでのデバイス試作用プロセス全体の指示 ・デバイスの信頼性評価（ＴＥＧ作成からＴＤＤＢ評価など） ・レイアウト技術（ＧＤＳ） ・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用 ・仮歩留まりチップの不良解析、歩留まり向上対策 ・パワー半導体デバイスのPKG、モジュールの設計・開発 ・最先端パワーデバイスの調査及び新規デバイス構造の提案 ・汎用または車載用パワーモジュールの設計・開発 【歓迎条件】 英語もしくは中国語でのコミュニケーションのできる方

株式会社ウィーク