パワー半導体設計　【新幹線通勤可】

募集要項

• こだわり条件

  年間休日120日以上 土日祝日休み 中途入社5割以上 駅徒歩5分 U・I ターン歓迎 急募

• 仕事内容

  パワーMOSFETのデバイス設計開発

• 職種分類

  電気・電子・機械系エンジニア ＞ 電気・電子・半導体系 ＞ 研究・開発・設計（電気・電子・半導体）

• 業種分類

  電気・電子・半導体

• 応募条件

  半導体業界でMOSFETの研究開発経験。
  パワーデバイス設計経験。
  半導体プロセス開発経験。
  ※上記、いずれかのご経験がある方。

• 年収

  600万円～850万円
  600万円～850万円　＊前職の年収を考慮させていただきます。
  

• ポジション

  管理職 , メンバー

• 雇用形態

  正社員

• 勤務地

  群馬県

• 勤務時間

  9：00-18：00

求人会社情報