Memory architecture design

募集要項

• 仕事内容

  職種：Memory architecture design 　
  職務内容：
  SRAMアーキテクチャ設計
  クリティカルパスの設計と分析の読み取りと書き込み
  主要ビルディングブロックの設計（センシング、アナログ、高電圧、DFT）
  チップレベルの設計検証
  組み込み不揮発性メモリコンパイラと製品化
  シリコンの特性評価と信頼性認定に関する製品/信頼性エンジニアとの連携
  

• 職種分類

  電気・電子・機械系エンジニア ＞ 電気・電子・半導体系 ＞ 研究・開発・設計（電気・電子・半導体）

• 業種分類

  電気・電子・半導体

• 応募条件

  必要な職務経験：
  10年以上の経験を持つ学士号、3年以上の経験を持つ修士号、または関連分野の博士号。
  SRAMの分野におけるメモリの専門家。
  ビットセルの特性（Vmin、ビットセルのパフォーマンス、書き込みマージン）、センスアンプ設計、高シグマ変動分析、競合チェック、マージンサインオフに精通。
  高速で低Vminの設計に関する知識があれば尚可です。
  日本語が堪能。
  英語（基礎会話レベル）

• 年収

  800万円～1200万円
  *前職の年収を考慮させていただきます。

• ポジション

  メンバー

• 雇用形態

  正社員

• 勤務地

  神奈川県
  みなとみらい

• 勤務時間

  9:00-17:40
  

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