【京都】パワーデバイス（電源設計）開発エンジニア（大手半導体メーカー）

募集要項

• こだわり条件

  上場（IPO）準備中 従業員1000名以上 海外展開あり（日系グローバル企業） 社宅・家賃補助制度 育休・産休・介護休暇実績あり 退職金制度 年間休日120日以上 土日祝日休み

• 仕事内容

  ・GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価
  ・GaNデバイスの海外拡販
  
  ＜GaNパワーデバイスとは＞
  GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。既に量産化が始まっているSiC（シリコン・カーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。
  
  
  ※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。

• 職種分類

  電気・電子・機械系エンジニア ＞ 電気・電子・半導体系 ＞ 研究・開発・設計（電気・電子・半導体）

• 業種分類

  電気・電子・半導体

• 年齢

  30歳～48歳まで
  【年齢制限理由】
  例外事由 3号 ロ
  技能・ノウハウの継承の観点から、特定の職種において労働者数が相当程度少ない特定の年齢層に限定し、かつ、 期間の定めのない労働契約の対象として募集・採用する場合

• 応募条件

  ・電源回路設計経験
  ・半導体業界でGaNデバイスの研究開発経験
  ・パワーモジュール設計経験
  
  ※上記、いずれかのご経験がある方。

• 年収

  500万円～850万円
  ※経験/年齢/能力等を考慮の上、当社規定により決定します。
  ※専門業務型裁量労働制の適応可能性有り

• ポジション

  管理職 , メンバー

• 雇用形態

  正社員
  試用期間６か月、契約期間の定めなし

• 勤務地

  京都府 / 滋賀県

• 勤務地（詳細）

  ・京都/滋賀

• 勤務時間

  ・勤務時間 ：8:15　～　17:15 （8時間　1時間休憩）

• 休日・休暇

  週休2日制（土日）、祝日、夏期休暇、年末年始
  年次有給/慶弔/産前産後/育児休暇/介護休暇

• 福利厚生

  ・社会保険；健康保険、厚生年金、雇用保険、労災保険

求人会社情報