求人ID : TKB0242

GaNパワー半導体デバイスの設計、開発<正社員>

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会社名非公開

リーダー , メンバー
500万円~1000万円

募集要項

  • こだわり条件

    外資系 ベンチャー企業 ストックオプションあり 固定給30万円以上 シニア歓迎 語学(英語)を生かす フレックス勤務 年間休日120日以上 土日祝日休み 転勤なし U・I ターン歓迎 急募

  • 仕事内容

    業界最先端のSiC、GaN、Si等のパワーデバイスの設計、開発を行います。
    ・台湾に本拠地を置く本社(パワー半導体デバイスの開発、製造、販売)から開発依頼を受け、パワーデバイス・モジュールの設計・開発を行います。
    ・日本及び台湾等を拠点とするエンジニアと協力して開発を進めて頂きます。
    ・大学などの研究機関、提携会社との垂直統合型の連携も進めてリーディングカンパニーを目指します。

  • 職種分類

    電気・電子・機械系エンジニア > 電気・電子・半導体系 > 研究・開発・設計(電気・電子・半導体)

  • 業種分類

    電気・電子・半導体

  • 年齢

    30歳~48歳まで
    【年齢制限理由】
    例外事由 3号 ロ
    技能・ノウハウの継承の観点から、特定の職種において労働者数が相当程度少ない特定の年齢層に限定し、かつ、 期間の定めのない労働契約の対象として募集・採用する場合

  • 応募条件

    GaNパワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関し以下の経験がある方。
    1.GaNパワー半導体(HEMT、SBD等)のデバイス開発・設計
    ・デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)を使用し特性要件を満たすデバイス構造(※)を設計
    ※コラプス対策の電界緩和構造、I-V、C-V目標特性実現、応力解析、熱設計、等
    ・実測相関検証、シミュレーション条件設定など、開発目的に適合した環境設定ができることが望ましい
    2.GaNパワー半導体(HEMT、SBD等)の製品開発・設計
    ・半導体チップ設計:目標設計仕様を実現するレイアウト構造、設計仕様を決定
    ・製品特性評価:I-V、C-V特性、実機スイッチング特性の評価、評価系の立上げ

    【その他】
    ・高専卒以上

  • 年収

    500万円~1000万円
    経験・能力等を考慮の上、個別にご相談させていただきます。

  • ポジション

    リーダー , メンバー

  • 雇用形態

    正社員

  • 勤務地

    京都府
    京都市

  • 勤務時間

    9:00~17:00 (休憩時間1時間)

  • 休日・休暇

    土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り

  • 福利厚生

    社会保険完備 ストックオプション制度有り

求人会社情報

  • 設立

    2020年3月

  • 資本金

    3000万円

  • 事業概要

    業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社

職種PR

台湾のベンチャーが台北をヘッドクォーターに京都にファブレスのパワーデバイス・モジュールのデザインハウスを展開。海外のユーザーからの開発依頼を受け、新技術の開発を行う。

この求人の取り扱い人材紹介会社・コンサルタント ご相談や条件交渉などのサポートを行います

人材紹介会社情報

キャリア・ネットワーク株式会社
キャリア・ネットワーク株式会社
  • 設立

    1993年8月1日

  • 資本金

    3500万円

  • 従業員(紹介部門数)

    45名

管理部門
管理職/エグゼクティブ
技術職

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