求人ID : TKB0006

パワー半導体デバイス設計・開発、プロセスエンジニア、信頼性評価技術開発、パワーモジュール設計・開発

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会社名非公開

リーダー , メンバー
500万円~1000万円

募集要項

  • こだわり条件

    外資系 ベンチャー企業 ストックオプションあり シニア歓迎 語学(英語)を生かす 語学(英語以外)を生かす フレックス勤務 年間休日120日以上 土日祝日休み U・I ターン歓迎 急募

  • 仕事内容

    業界最先端のSiC、GaN、Si等のパワーデバイスの設計、開発を行います。
    ・台湾に本拠地を置く本社(パワー半導体デバイスの開発、製造、販売)から開発依頼を受け、パワーデバイスの設計・開発を行います。
    ・日本及び台湾等を拠点とするエンジニアと協力して開発を進めて頂きます。
    ・大学などの研究機関、提携会社との連携も進めてリーディングカンパニーを目指します。

  • 職種分類

    電気・電子・機械系エンジニア > 電気・電子・半導体系 > 研究・開発・設計(電気・電子・半導体)

  • 業種分類

    電気・電子・半導体

  • 年齢

    30歳~49歳まで
    【年齢制限理由】
    例外事由 3号 ロ
    技能・ノウハウの継承の観点から、特定の職種において労働者数が相当程度少ない特定の年齢層に限定し、かつ、 期間の定めのない労働契約の対象として募集・採用する場合

  • 応募条件

    【必須要件】
    パワー半導体デバイス(Si、SiC、GaN)の設計、開発、製造に関して以下の経験がある方。
    ・パワー半導体デバイス(SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等)のデバイス(チップ)の開発・設計、プロセスインテグレーション開発
    ・ファウンドリーでのデバイス試作用プロセス全体の指示
    ・デバイスの信頼性評価(TEG作成からTDDB評価など)
    ・レイアウト技術(GDS)
    ・デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用
    ・仮歩留まりチップの不良解析、歩留まり向上対策
    ・パワー半導体デバイスのPKG、モジュールの設計・開発
    ・最先端パワーデバイスの調査及び新規デバイス構造の提案
    ・汎用または車載用パワーモジュールの設計・開発

    <語学力>
    ・英語もしくは中国語でのコミュニケーション

    【その他】
    ・高専卒以上

  • 年収

    500万円~1000万円
    経験・能力等を考慮の上、個別にご相談させていただきます。

  • ポジション

    リーダー , メンバー

  • 雇用形態

    正社員

  • 勤務地

    京都府
    京都市

  • 勤務時間

    9:00~17:00

  • 休日・休暇

    土・日・祝日 夏期・冬期休暇有り

  • 福利厚生

    社会保険完備 ストックオプション制度有り

求人会社情報

  • 設立

    2020年3月

  • 資本金

    3000万円

  • 事業概要

    業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計会社

職種PR

台湾のベンチャーが台北をヘッドクォーターに京都にファブレスのパワーデバイス・モジュールのデザインハウスを展開。海外のユーザーからの開発依頼を受け、新技術の開発を行う。

この求人の取り扱い人材紹介会社・コンサルタント ご相談や条件交渉などのサポートを行います

人材紹介会社情報

キャリア・ネットワーク株式会社
キャリア・ネットワーク株式会社
  • 設立

    1993年8月1日

  • 資本金

    3500万円

  • 従業員(紹介部門数)

    45名

管理部門
管理職/エグゼクティブ
技術職

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