求人ID : 18496

【HK】GaAs・InP R&Dエンジニア

会社名非公開

その他
1400万円~3000万円

募集要項

  • 仕事内容

    ・第2世代(GaAsガリウムヒ素、InPインジウム)、第3世代(炭化ケイ素、GaN窒化ガリウム、Ga2O3酸化ガリウムなど)化合物半導体材料技術のR&Dプロセス
    ・結晶ウェーハ、MOCVD法、チップ(光通信、5Gおよびその他の伝送機能デバイス)などの化合物半導体集積回路産業チェーンにおける問題解決
    ・Si・SiC基板上に高品質GaN 結晶を成長する技術のR&Dプロセス
    ・大口徑半絶縁性SiC結晶育成技術、SiC≥4インチの半絶縁性結晶育成技術、およびGaN≥4インチの単結晶育成技術などを生かし、新技術の導入と製品開発、改善、製品の技術革新を促進する。

  • 職種分類

    素材・化学・食品・メディカル系技術者 > 素材・化学・食品・バイオ系技術者 > 研究・開発(素材・化学・食品・バイオ)

  • 業種分類

    その他

  • 年齢

    50歳~65歳まで
    【年齢制限理由】
    例外事由 1号
    定年年齢を上限として、その上限年齢未満の労働者を期間の定めのない労働契約の対象として募集・採用する場合

  • 応募条件

    <必須>
    ・学士以上、化学、物理学、マイクロエレクトロニクス、材料、冶金学専攻
    ・10年以上の業界での実務経験、国内外の有名な集積回路および化合物半導体材料会社での同じ職務での5年以上の実務経験
    ・第2世代(GaAsガリウムヒ素、InPインジウム)、第3世代(炭化ケイ素、GaN窒化ガリウム、Ga2O3酸化ガリウムなど)化合物半導体材料技術の研究開発、プロセスに精通
    ・大口徑半絶縁性SiC結晶育成技術、SiC≥4インチの半絶縁性結晶育成技術、およびGaN≥4インチの単結晶育成技術における豊富な経験

  • 年収

    1400万円~3000万円
    年収について補足:手取り960万円以上
    支払い方法(日本円、中国人民元)は相談可能
    給与(詳細):手取り960万円以上
    支払い方法(日本円、中国人民元)は相談可能

  • ポジション

    その他

  • 雇用形態

    契約社員
    契約社員

  • 勤務地

    その他海外
    広州/清遠

  • 勤務時間

    就業時間:9:00-18:00
    休憩時間:60分

  • 休日・休暇

    土日祝

  • 福利厚生

    各種社会保険完備社宅あり(1LDK以上)
    通勤交通費もしくは社用車を支給
    帰省航空券(年4回以上/相談可)

求人会社情報

  • 設立

    1995/

  • 従業員

    3500

  • 事業概要

    世界のレアメタル市場のリーダーとして、セレンおよびテルル製品の重要なメーカーです。
    世界市場におけるガリウム、インジウム、ゲルマニウム、ビスマス、およびカドミウムの主要サプライヤーです。

この求人の取り扱い人材紹介会社・コンサルタント ご相談や条件交渉などのサポートを行います

人材紹介会社情報

株式会社ダンネット
株式会社ダンネット
  • 設立

    2005年8月1日

  • 資本金

    2200万円

  • 従業員(紹介部門数)

    12名

大手・上場企業
中高年
外資系企業

管理職、マネージャークラス、経営幹部候補の求人案件をメインにご紹介。
年収レンジは800万円~1200万円の案件が多く、役員クラスのサーチ依頼も受けております。スペシャリスト求人も多数ございます。

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