GaNパワー半導体デバイスの設計、開発

募集要項

• こだわり条件

  外資系 スタートアップ企業 海外勤務あり シニア歓迎 語学（英語）を生かす 語学（英語以外）を生かす フレックス勤務 17時までに退社可 年間休日120日以上 土日祝日休み 急募

• 仕事内容

  業界最先端のSiC、GaN、Si等のパワーデバイスの設計、開発を行います。
  ・台湾に本拠地を置く本社（パワー半導体デバイスの開発、製造、販売）から開発依頼を受け、
  パワーデバイス・モジュールの設計・開発を行います。
  ・日本及び台湾等を拠点とするエンジニアと協力して開発を進めて頂きます。
  ・大学などの研究機関、提携会社との垂直統合型の連携も進めてリーディングカンパニーを目指します。

• 職種分類

  電気・電子・機械系エンジニア ＞ 電気・電子・半導体系 ＞ 研究・開発・設計（電気・電子・半導体）

• 業種分類

  電気・電子・半導体

• 応募条件

  GaNパワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関し以下の経験がある方。
  1．GaNパワー半導体（HEMT、SBD等）のデバイス開発・設計
  ・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）を使用し特性要件を満たすデバイス構造（＊）を設計　
  　＊コラプス対策の電界緩和構造、I-V、C-V目標特性実現、応力解析、熱設計、等
  ・実測相関検証、シミュレーション条件設定など、開発目的に適合した環境設定ができることが望ましい
  ２．GaNパワー半導体（HEMT、SBD等）の製品開発・設計
  ・半導体チップ設計：目標設計仕様を実現するレイアウト構造、設計仕様を決定
  ・製品特性評価：I-V、C-V特性、実機スイッチング特性の評価、評価系の立上げ
  3. 英語もしくは中国語でのコミュニケーションのできる方が望ましい

• 年収

  600万円～1100万円
  当社規定による（経験年数等を考慮し決定します）
  ストックオプション制度あり

• ポジション

  リーダー , メンバー

• 雇用形態

  正社員

• 勤務地

  京都府

• 勤務地（市区町村）

  京都市西京区

• 勤務時間

  9時00分～17時00分
  裁量労働制
  専門業務型裁量労働制：1日8時間

• 休日・休暇

  年間休日日数：120日
  完全土日祝休み　年末年始休暇
  

• 福利厚生

  健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険　等
  交通費支給あり　服装自由

求人会社情報