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パワーデバイス技術エンジニア

■職務内容 xEV用IGBTの事業を拡大するため、IGBTデバイス・プロセス開発に従事 ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア ・デバイス構造設計やプロセスフロー構築 ・要素…

求人会社名:大手半導体デバイスメーカー

メンバー
680万円~1500万円

募集要項

  • こだわり条件

    設立50年以上 語学(英語)を生かす 年間休日120日以上 土日祝日休み

  • 仕事内容

    ■職務内容
    xEV用IGBTの事業を拡大するため、IGBTデバイス・プロセス開発に従事

    ・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
    ・デバイス構造設計やプロセスフロー構築
    ・要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセス)、製品設計、品質保証など多部門との連携

    同社は、自動車をはじめとするあらゆる製品向けに、パワー半導体デバイスを搭載および開発しています。デバイス技術エンジニアは、自身の知識と経験を基に他社を凌駕する次世代及び将来に用いられるデバイス開発を担います。

    仕事内容は、構想設計から試作開発、デバイス評価、量産まで多岐にわたり、自身の技術力やキャリア向上に繋がります。当事者意識が高く、チームワークを大切にしている方を求めています。

  • 職種分類

    電気・電子・機械系エンジニア > 電気・電子・半導体系 > 研究・開発・設計(電気・電子・半導体)

  • 業種分類

    電気・電子・半導体

  • 応募条件

    【MUST】
    ・パワーデバイス構造設計やプロセス開発経験

    【WANT】
    ・Field Stop 型IGBTのウェハプロセス、デバイス動作、信頼性等に関する専門知識
    ・TCADシミュレーションスキル
    ・TEGレイアウトスキル
    ・デバイス電気特性評価スキル
    ・IGBTモジュール実装に関する知識
    ・インバータシステムに関する知識

    【言語】
    日本語:ビジネス会話が出来る
    英語 :ビジネス会話ができる (TOEIC 700点程度)

  • 年収

    680万円~1500万円
    680万円 - 1500万円

  • ポジション

    メンバー

  • 雇用形態

    正社員

  • 勤務地

    茨城県

  • 勤務時間

    08:30 ~ 17:15

  • 休日・休暇

    【有給休暇】23
    【休日】完全週休二日制


    祝日
    夏季休暇
    年末年始
    【有給休暇】入社月に付与(但し、入社月により付与日数に変動あり)、詳細はオファー時に確認。

  • 福利厚生

    【通勤手当】全額支給
    【社会保険】健康保険
    厚生年金
    雇用保険
    労災保険

求人会社情報

  • 事業概要

    求人紹介時にご案内致します。

職種PR

大手半導体デバイスメーカーでの募集です。
LSI・IC・メモリ設計のご経験のある方は歓迎です。

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