【京都】SiCパワーデバイス開発エンジニア

募集要項

• こだわり条件

  上場企業 従業員1000名以上 設立50年以上 社宅・家賃補助制度 退職金制度 土日祝日休み U・I ターン歓迎

• 仕事内容

  【職務概要】
  SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。
  
  【職務詳細】
  ■SｉCパワーデバイス開発・設計
  ■SｉCパワーデバイスプロセス開発
  
  SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、
  従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が
  可能なパワー素子が実現出来ます。
  既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。
  
  【世界をリードするSiCパワーデバイス】
  2009年に欧州最大のSiC単結晶ウエハメーカーを同社グループの一員に迎え、
  ウエハ／金型／リードフレーム／パッケージ製造まで全てのプロセスを
  グループ内で独自に開発することができる体制を確立しました。
  2025年までにSiCの生産能力を2017年の16倍まで拡大し、
  市場シェアも業界トップクラスを目指し、
  グループ生産拠点も2020年に新棟を竣工予定です。
  

• 職種分類

  電気・電子・機械系エンジニア ＞ 電気・電子・半導体系 ＞ 研究・開発・設計（電気・電子・半導体）

• 業種分類

  電気・電子・半導体

• 年齢

  ～40歳まで
  【年齢制限理由】
  例外事由 3号 イ
  長期勤続によるキャリア形成を図る観点から、若年者等を期間の定めのない労働契約の対象として募集・採用する場合

• 応募条件

  【必須】
  ■いずれかの経験がある方
  ・半導体業界でSｉCの研究開発経験
  ・パワーデバイス設計、パッケージ開発経験
  ・半導体プロセス開発経験
  
  【このような方におすすめです】
  同社の原動力は「チャレンジ精神」です！
  今後の更なる飛躍を目指し、
  志が高い方、情熱を持った方にはおすすめの企業です。

• 年収

  500万円～750万円
  年収:500万～850万程度
  月給制：月額300000円
  給与:■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇
  ■賞与：年2回（6月・12月、年間平均4ヶ月）
  ■昇給：あり

• ポジション

  メンバー

• 雇用形態

  正社員
  正社員
  契約期間：無期
  試用期間：3ヶ月

• 勤務地

  京都府

• 勤務地（市区町村）

  京都市右京区

• 勤務地（詳細）

  【近畿】京都府 京都市右京区
  阪急京都線「西院」駅／「西京極」駅より徒歩15分
  

• 勤務時間

  8:15～17:15

• 休日・休暇

  週休2日制（土日）、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇（最大20日）
  

• 福利厚生

  通勤手当（上限4万円）、退職金制度、住宅制度（結婚都合補助、入社都合補助、持家援助金制度、転勤都合補助など）、社内厚生施設（社員食堂、カフェテリア、フィットネスルームなど）
  喫煙情報：屋内禁煙

• フィットする人物像

  セルフスターターな方

• サービス・特徴

  ■オートモーティブ（自動車）
  自動運転やスマートシティの実現が目前の今、同社が手がける高性能ICやハイパワー素子は欠かすことのできない基幹部品となっています。
  ■産業機器
  産業機器市場向けデバイスに求められる「省エネ」、「安全」、「快適」、「小型化」に対して、これまで民生機器や自動車関連機器で培った様々な技術でサポートしています。
  ■エネルギーマネジメント
  電源IC、センサ、通信IC、マイコンや電子部品などシステム自体の効率化につながる製品の開発に取り組んでいます。

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